Разработка гибридной технологии производства многокристальных микросхем с одновременным применением процессов корпусирования
Flip-Chip и Wire Bond для создания отечественных импортозамещающих микроэлектронных модулей высокой степени интеграции

3-я Международная конференция по разработкам в области механики, управления и систем (ICMSC 2019)

22 June 2019 года

22 июня в Санкт-Петербурге прошла 3-я Международная конференция по разработкам в области механики, управления и систем (International Conference on Mechanical, System and Control Engineering – ICMSC 2019), организованная Московским государственным техническим университетом им. Н.Э.Баумана, Магнитогорским государственным техническим университетом, Самарским университетом и Новосибирским государственным техническим университетом.

На конференции было представлено 52 доклада (пленарные, секционные, стендовые). Работа конференции была организована в виде четырёх секций:

  • Материаловедение,
  • Теория управления,
  • Моделирование систем,
  • Анализ данных и моделирование.

География участников охватывала 15 стран. Больше всего было участников из России, Чехии, Китая, Польши и Таиланда.

Доцент кафедры ИИСиФЭ А.В.Соловьев представил на конференции доклад "Temperature simulation of system-in-package produced with hybrid chip mounting technology" (Моделирование температуры системы-в-корпусе (system-in-package), выполненной по гибридной технологии монтажа кристаллов). Представленная работа связана с выполнением проекта "Разработка гибридной технологии производства многокристальных микросхем с одновременным применением процессов корпусирования Flip-Chip и Wire Bond для создания отечественных импортозамещающих микроэлектронных модулей высокой степени интеграции".

В работе на основе конечно-элементного компьютерного моделирования проведён расчёт распределения температуры интегральной микросхемы в конфигурации система-в-корпусе, созданной по гибридной 2D технологии корпусирования Flip-Chip и Wire Bonding. Предложены технические рекомендации по выбору компаунда с учётом сплошного слоя компаунда, разделяющего активные элементы и теплоотводящий радиатор.

Авторы работы: П.П.Борисков, Н.Ю.Ершова, В.В.Путролайнен, М.П.Савицкий, П.Н.Середов и А.В.Соловьев.

Представленная в виде стендового доклада работа вызвала оживлённый интерес у участников конференции. Статья по докладу будет опубликована в трудах конференции.