Разработка гибридной технологии производства многокристальных микросхем с одновременным применением процессов корпусирования
Flip-Chip и Wire Bond для создания отечественных импортозамещающих микроэлектронных модулей высокой степени интеграции

Общая информация о проекте

ФЕДЕРАЛЬНАЯ ЦЕЛЕВАЯ ПРОГРАММА

«Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса Российской Федерации на 2014–2020 годы»

Основной целью Программы является формирование конкурентоспособного и эффективно функционирующего сектора прикладных научных исследований и разработок.

МЕРОПРИЯТИЕ

1.3. Проведение прикладных научных исследований и разработок, направленных на создание продукции и технологий

ПРОЕКТ

Разработка гибридной технологии производства многокристальных микросхем с одновременным применением процессов корпусирования Flip-Chip и Wire Bond для создания отечественных импортозамещающих микроэлектронных модулей высокой степени интеграции

ОРГАНИЗАЦИЯ ЗАКАЗЧИК

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

ПЕРИОД ВЫПОЛНЕНИЯ ПРОЕКТА

20.12.2018 – 31.12.2020

ЦЕЛЬ ПРОЕКТА

Целью ПНИЭР является разработка гибридной технологии производства многокристальных микросхем, сочетающих технологии монтажа на подложке Wire Bond и Flip-Chip в едином устройстве, с использованием методов интеграции система в корпусе (SiP), корпус на корпусе (PoP), корпус на корпусе (PoP) с использованием метода TMV.

Целью первого этапа являлось определение оптимального варианта направления исследований и разработка  технологии гибридного многокристального корпусирования по методу SiP.

Целью второго этапа является разработка  технологии гибридного многокристального корпусирования по методу PoP и исследование образцов, изготовленных по методам SiP и PoP.

ЗАДАЧИ ПРОЕКТА

На первом этапе ПНИЭР необходимо:

  • провести аналитический обзор в предметной области ПНИЭР;
  • выполнить патентные исследования в предметной области ПНИЭР;
  • разработать Комплектность технической документации, разрабатываемой по проекту, согласовав ее с Индустриальным партнером;
  • разработать конструкторскую документацию на подложки и макеты для гибридного многокристального корпусирования по методу SiP;
  • изготовить макеты в соответствии с конструкторской документацией;
  • разработать лабораторный регламент, программу и методики для исследовательских испытаний по отработке гибридного многокристального корпусирования по методу SiP;
  • провести исследовательские испытания изготовленных макетов;
  • разработать технологическую документацию для процесса гибридного многокристального корпусирования по методу SiP в соответствии с Комплектностью;
  • закупить расходные материалы для постановки технологического процесса;
  • провести анализ имеющегося производственного оборудования индустриального партнера;
  • разработать рекомендации по использованию производственного оборудования ИП для проведения экспериментов.

На втором этапе ПНИЭР необходимо:

  • разработать конструкторскую документацию на экспериментальные образцы гибридных многокристальных микросхем по методу SiP в соответствии с Комплектностью;
  • разработать лабораторный регламент, программу и методики исследовательских испытаний экспериментальных образцов гибридных многокристальных микросхем по методу SiP;
  • изготовить экспериментальные образцы гибридных многокристальных микросхем по методу SiP;
  • провести исследовательские испытания экспериментальных образцов гибридных многокристальных микросхем по методу SiP;
  • разработать конструкторскую документацию на подложки и макеты для гибридного многокристального корпусирования по методу PoP в соответствии с Комплектностью;
  • изготовить макеты в соответствии с конструкторской документацией для проведения исследовательских испытаний по отработке гибридного многокристального корпусирования по методу PoP.
  • разработать лабораторный регламент, программу и методики исследовательских испытаний по отработке гибридного многокристального корпусирования по методу PoP;
  • провести исследовательские испытания по отработке гибридного многокристального корпусирования по методу PoP;
  • разработать технологическую и конструкторскую документацию для процесса гибридного многокристального корпусирования по методу PoP в соответствии с Комплектностью;
  • разработать лабораторный регламент, программу и методики исследовательских испытаний экспериментальных образцов гибридных многокристальных микросхем по методу PoP;
  • изготовить экспериментальные образцы гибридных многокристальных микросхем по методу PoP.
  • провести исследовательские испытания экспериментальных образцов гибридных многокристальных микросхем по методу PoP.

РЕЗУЛЬТАТЫ

На первом этапе ПНИЭР были выполнены следующие виды работ:

  • Выполнен аналитический обзор современной научно-технической литературы и технической документации в части технологий гибридного корпусирования микроэлектронных модулей высокой степени интеграции, включая анализ существующих технологий и решений проектирования и производства многокристальных микросхем.
  • Проведены патентные исследования по уровню техники в части технологий гибридного корпусирования микроэлектронных модулей высокой степени интеграции.
  • Разработана Комплектность технической документации, разрабатываемой по проекту, согласованная с Индустриальным партнером.
  • Разработана конструкторская документация на подложки для гибридного многокристального корпусирования по методу SiP, включая чертежи общего вида подложки и послойно.
  • Разработана конструкторская документация на макеты, предназначенных для отработки отдельных технологических операций гибридного многокристального корпусирования по методу SiP, включая спецификацию на материалы, пояснительную записку и чертежи трех кристаллов.
  • Изготовлены макеты в соответствии с конструкторской документацией для проведения исследовательских испытаний по отработке гибридного многокристального корпусирования по методу SiP.
  • Разработан лабораторный регламент для исследовательских испытаний по отработке гибридного многокристального корпусирования по методу SiP.
  • Разработана программа и методики исследовательских испытаний по отработке гибридного многокристального корпусирования по методу SiP.
  • Проведены исследовательские испытания по отработке гибридного многокристального корпусирования по методу SiP.
  • Разработана технологическая документация для процесса гибридного многокристального корпусирования по методу SiP, включая маршрутную карту и карту технологической информации.
  • Произведена закупка расходных материалов для постановки технологического процесса.
  • Проведен анализ имеющегося производственного оборудования индустриального партнеры. Разработаны рекомендации по использованию производственного оборудования для проведения экспериментов.
  • Разработано техническое задание на подготовку помещений, оборудования и инженерных сетей для опытного производства ИМСП (АО «ДжиЭс Нанотех»).
  • Разработан план мероприятий по подготовке помещений, оборудования и инженерных сетей для опытного производства ИМСП (АО «ДжиЭс Нанотех»).
  • Проведены работы по подготовке помещений и инженерных сетей в соответствии планом мероприятий (АО «ДжиЭс Нанотех»);
  • Разработан план оснащения опытного производства в соответствии с рекомендациями по использованию производственного оборудования для проведения экспериментов (АО «ДжиЭс Нанотех»).
  • Проведена модернизация оборудования индустриального партнёра для отработки технологии гибридного многокристального корпусирования в соответствии с планом оснащения опытного производства (АО «ДжиЭс Нанотех»).
  • Проведены работы по организации и обеспечению изготовления макетов, полученных по технологии гибридного многокристального корпусирования по методу SiP (АО «ДжиЭс Нанотех»).
  • Проведены работы по организации и обеспечению исследовательских испытаний по отработке гибридного многокристального корпусирования по методу SiP (АО «ДжиЭс Нанотех»).

К основным результатам, полученным на первом этапе ПНИЭР можно отнести разработку КД и изготовление макетов на производственном оборудовании ИП, проведение исследовательских испытаний, разработку технологической документации, закупку расходных материалов для постановки технологического процесса изготовления экспериментальных образцов гибридных многокристальных микросхем по методу SiP.

Перечень результатов  на первом этапе ПНИЭР соответствует всем пунктам Приложения № 2 (План – график) Соглашения о предоставлении субсидии от 20.12.2018 № 05.577.21.0293.

ИНДУСТРИАЛЬНЫЙ ПАРТНЕР

ОАО «Джи Эс Нанотех» («Джи Эс Нанотех»)

Один из наиболее динамично развивающихся научно-производственных центров России. Обладает широким опытом проектирования цифровых, аналоговых и гибридных микросхем, а также многокристальных модулей.

«Джи Эс Нанотех» оказывает широкий спектр услуг по корпусированию и тестированию микросхем. Специализация – сборка и тестирование любых типов памяти (флеш-память, статическая и динамическая оперативная память), монокристальных и многокристальных модулей и других электронных компонентов – интегральных микросхем (цифровых, аналоговых, смешанного сигнала) в различных типах пластиковых корпусов. «Джи Эс Нанотех» успешно применяет такие технологии, как Flip Chip и System in Package (SiP). Партнеры и клиенты «Джи Эс Нанотех» – ведущие мировые производители полупроводниковых пластин, кремниевых кристаллов, разработчики интегральных микросхем и производители микроэлектронной продукции.

Единственный в своем роде в РФ центр разработки и производства микроэлектронной продукции. Производственная мощность – 20 млн микропроцессоров в год. Единственное предприятие в России, предоставляющее услуги по проектированию и сборке многокристальных модулей на контрактной основе в том числе «систем-в-корпусе» (SiP, System-in-Package). Годовой оборот компании составляет свыше 1,6 млрд. руб.

«Джи Эс Нанотех» входит в состав холдинга GS Group, являющегося оператором спутникового телевидения «Триколор ТВ» и имеющего сеть дистрибуции в 85 регионах РФ. «Джи Эс Нанотех» находится на территории «Технополиса GS» – уникального частного инновационного кластера, действующего в особой экономической зоне Калининградской области.

В настоящее время на производстве «Джи Эс Нанотех» создано более 100 высокотехнологичных рабочих мест, к 2020 году их число планируется увеличить в 2 раза. Общая сумма инвестиций в «Джи Эс Нанотех» до 2017 года составила порядка 4 миллиардов рублей.




Ершова
Наталья Юрьевна

кандидат физико-математических наук, руководитель проекта

 Контакты

Телефон(ы):
(814-2) 71-96-80

Учебный корпус № 6, 109 каб.

ershova@petrsu.ru

Новости проекта